Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ
Число публикаций по квартилям JIF
i
Число публикаций по квартилям CiteScore
i
Комплексный балл публикационной результативности
70.48
Число публикаций в журналах по CiteScore
i
0
Число публикаций в наивысших 10 процентилях CiteScore
0
Число публикаций в наивысшем процентиле CiteScore
0
Количество ВКР студентов, защищенных под руководством научных работников
0
Количество защищенных кандидатских диссертаций
0
Количество защищенных докторских диссертаций
0
Количество защищенных PhD диссертаций
10 наиболее цитируемых публикаций
i
-
1Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays35 цитирований
в Scopus. -
2Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films27 цитирований
в Scopus. -
3Antimicrobial potential of ZnO, TiO2 and SiO2 nanoparticles in protecting building materials from biodegradation25 цитирований
в Scopus. -
4All Nonmetal Resistive Random Access Memory16 цитирований
в Scopus. -
5Composition-sensitive growth kinetics and dispersive optical properties of thin HfxTi1−xO2 (0 ≤ x ≤ 1) films prepared by the ALD method13 цитирований
в Scopus. -
6Fabrication of microcrystalline NaPbLa(WO4)312 цитирований
в Scopus. -
7Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx12 цитирований
в Scopus. -
8Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films12 цитирований
в Scopus. -
9The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering11 цитирований
в Scopus. -
10Fluorinated graphene suspension for flexible and printed electronics11 цитирований
в Scopus.
Рейтинг авторов по числу публикаций в Q1-Q2
i
Патенты / свидетельства
i
0
Количество патентов на изобретение
0
Количество патентов на полезную модель
0
Количество патентов на промышленный образец
0
Количество свидетельств о регистрации базы данных
0
Количество свидетельств о регистрации программ для ЭВМ
0
Количество свидетельств о регистрации ноу-хау